NMOS vs PMOS
A FET (Tranzistor cu efect de câmp) este un dispozitiv controlat de tensiune în care capacitatea sa de a transporta curent este modificată prin aplicarea unui câmp electronic. Un tip de FET utilizat în mod obișnuit este Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). MOSFET-urile sunt utilizate pe scară largă în circuite integrate și aplicații de comutare de mare viteză. MOSFET-ul funcționează prin inducerea unui canal conducător între două contacte numite sursă și scurgere prin aplicarea unei tensiuni pe electrodul de poartă izolat cu oxid. Există două tipuri principale de MOSFET numite nMOSFET (cunoscut în mod obișnuit ca NMOS) și pMOSFET (cunoscut în mod obișnuit ca PMOS), în funcție de tipul de purtători care curg prin canal.
Ce este NMOS?
După cum am menționat mai devreme, NMOS (nMOSFET) este un tip de MOSFET. Un tranzistor NMOS este alcătuit dintr-o sursă și un dren de tip n și un substrat de tip p. Când se aplică o tensiune pe poartă, găurile din corp (substratul de tip p) sunt îndepărtate de poartă. Acest lucru permite formarea unui canal de tip n între sursă și dren și un curent este transportat de electroni de la sursă la dren printr-un canal de tip n indus. Se spune că porțile logice și alte dispozitive digitale implementate folosind NMOS au logica NMOS. Există trei moduri de funcționare într-un NMOS numit cut-off, triode și saturație. Logica NMOS este ușor de proiectat și fabricat. Dar circuitele cu porți logice NMOS disipă puterea statică atunci când circuitul este în gol, deoarece curentul continuu trece prin poarta logică atunci când ieșirea este scăzută.
Ce este PMOS?
Așa cum am menționat mai devreme, PMOS (pMOSFET) este un tip de MOSFET. Un tranzistor PMOS este alcătuit dintr-o sursă și un dren de tip p și un substrat de tip n. Când se aplică o tensiune pozitivă între sursă și poartă (tensiune negativă între poartă și sursă), se formează un canal de tip p între sursă și dren cu polarități opuse. Un curent este transportat de găuri de la sursă la scurgere printr-un canal indus de tip p. O tensiune ridicată pe poartă va face ca un PMOS să nu conducă, în timp ce o tensiune scăzută pe poartă îl va determina să conducă. Se spune că porțile logice și alte dispozitive digitale implementate folosind PMOS au logica PMOS. Tehnologia PMOS are un cost redus și are o imunitate bună la zgomot.
Care este diferența dintre NMOS și PMOS?
NMOS este construit cu sursă și dren de tip n și un substrat de tip p, în timp ce PMOS este construit cu sursă și dren de tip p și un substrat de tip n. Într-un NMOS, purtătorii sunt electroni, în timp ce într-un PMOS, purtătorii sunt găuri. Când se aplică o tensiune în altă la poartă, NMOS va conduce, în timp ce PMOS nu. Mai mult, atunci când se aplică o tensiune joasă în poartă, NMOS nu va conduce și PMOS va conduce. NMOS sunt considerate a fi mai rapide decât PMOS, deoarece purtătorii din NMOS, care sunt electroni, călătoresc de două ori mai repede decât găurile, care sunt purtătorii din PMOS. Dar dispozitivele PMOS sunt mai imune la zgomot decât dispozitivele NMOS. În plus, circuitele integrate NMOS ar fi mai mici decât circuitele integrate PMOS (care oferă aceeași funcționalitate), deoarece NMOS poate furniza jumătate din impedanța furnizată de un PMOS (care are aceeași geometrie și condiții de funcționare).
